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碳化硅陶瓷反應燒結工藝的簡單介紹

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碳化硅陶瓷反應燒結工藝的簡單介紹

發布日期:2018-10-30 作者: 點擊:

碳化硅陶瓷燒結方法一般分為反應燒結、熱壓燒結、無壓燒結、熱等壓燒結等,目前國內普遍應用的就是反應燒結。下面就碳化硅陶瓷反應燒結的工藝做簡單介紹:


反應燒結碳化硅陶瓷的制備工藝較為簡單,它直接采用一定顆粒級配的碳化硅微粉,與碳混合后成型生坯,然后在高溫下進行滲硅,部分硅與碳反應生產碳化硅與原來坯體中的碳化硅結合,達到燒結目的。


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滲硅的方法有兩種:一種是溫度達到硅的熔融溫度,產生硅的液相,通過毛細管的作用,硅直接進入坯體與碳反應生產碳化硅至燒結;另一種是溫度大于硅的熔融溫度,產生硅的蒸氣,通過硅蒸氣深入坯體達到燒結目的。


前一種方法燒結后殘留的游離硅一般較多,通常達到10%-15%,有時會達到15%以上;用氣相法滲硅,由于坯體的預留氣孔可以盡量少,燒結后的游離硅含量可降低到10%。


反應燒結碳化硅的燒結溫度范圍為1450—1700度,碳與碳化硅的骨架可以預先車削成任何形狀,且燒結時坯體的收縮僅在3%以內,這有利于產品尺寸控制。采用的原料像碳化硅、C結合劑等均無需特殊處理,用該工藝制備的碳化硅燒結體的生產成本較低。


但是,改工藝決定了燒結坯體中殘留游離硅,這部分對以后產品的應用產生影響,一方面使得燒結體的強度和耐磨性下降,另一方面游離硅的存在降低了碳化硅的耐酸堿性能。

本文網址:http://sadcut.com/news/385.html

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